TSMC, önümüzdeki üç yıl içinde piyasaya sürülmesi beklenen 3nm işlemci serisini duyurdu. Yeni FinFlex teknolojisi sayesinde, çip tasarımcılarına her bir standart hücreyi istenen güç tüketimi, performans ve yoğunluk için optimize edebilme konusunda daha fazla esneklik sağlıyor.

TSMC, tüm N3 süreç düğümleri için yeni CPU ailesini tanıtmış oldu. AMD, Apple, Nvidia ve hatta Intel gibi çip üreticileri, önümüzdeki birkaç yıl boyunca son teknoloji çiplerini üretmek için bu yeni seri düğümü kullanacaklar.

TSMC FinFlex işlemcileriyle çağ atlayabilir

Tayvanlı şirketin toplam beş farklı 3nm sınıfı düğümü var. N3, bu yılın sonlarında yüksek hacimli üretimlere başlayacak ve ilk çiplerin önümüzdeki yılın başlarında müşterilere ulaştırılması bekleniyor. N3E, performans ve verimlilik iyileştirmeleri, daha yüksek verim, biraz daha azaltılmış mantık yoğunluğu ile daha sonra piyasaya sürülmesi bekleniyor.

2024 civarında TSMC, performans iyileştirmelerine odaklanan N3P’yi piyasaya sürecek. TSMC’nin yol haritasında yer almayan N3S durumu ise Kıdemli Başkan Yardımcısı Kevin Zhang‘ın açıklamalarında pek de detaylı olmasa da bahsedildi. (Açıklama için)

Son olarak, N3X ise yaklaşık bir yıl sonra çıkacak ve daha yüksek voltajlarda son derece yüksek performansa olanak tanıyacak şekilde, verimlilik ve maliyetleri arka planda tutacak. Bu yaklaşım, gelecek yıl seri üretime başlayacak olan 5nm sınıfından “N4X” sürecine benzer şekilde olması bekleniyor.

TSMC’nin N3 ve N3E düğümleri, şirketin yeni FinFlex teknolojisini de destekleyecek. Şu anda ki teknolojide, çip tasarımcıları bir SoC içindeki her bir blok için bir kitaplık seçebiliyorlar. FinFlex teknolojisiyle artık bu sınırlama ortadan kalkıyor ve her blokta farklı kitaplıkları karıştırıp eşleştirebilme hakkına sahip oluyorlar.

Güç tüketimini ve kalıp boyutunu (maliyeti) azaltmak için bazı kısımlarda 2-1 (çift kapılı tek kanatlı) FinFET kullanabilirler ve maksimum performansın çok önemli olduğu diğer alanlarda ise 3-2 FinFET’i tercih edebilirler. Bu arada, 2-2 FinFET ise, boyut, performans ve güç tüketimi konusunda denge sağlayabiliyor. TSMC ayrıca, 2025’in ikinci yarısında hacimli üretime başlamayı planlayan, çok yönlü alan etkili transistörlerini (GAAFET’ler) kullanacak olan N2 süreç düğümünden de bahsetti.

N3E ile karşılaştırıldığında, aynı frekansta yüzde 25-30 daha az güç çekeceği ve aynı güç tüketimi ve transistör sayısı ile yüzde 10-15 daha fazla performans sağlayacağı bildiriliyor. Bu arada, çip yoğunluğunun yüzde 10’un üzerinde artacağı da bildiriliyor.